| 价 格: | 3.50 | |
| 封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格: | IRGR3B60KD2TRRPBR | |
| 材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 用途: | S/开关 | |
| 品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式: | 增强型 |
IR原装IGBT,TO-252封装, U=600V, I=7.8A 。如有需要欢迎致电:陈小姐13480955674,QQ:540527081,谢谢惠顾!
IR原装,U=75V,I=350A,RDS=1.85毫欧,T0-247封装。如有需要欢迎致电:陈小姐13480955674,QQ:540527081,谢谢惠顾!"
IR原装,U=55V,I=16A,RDS=75毫欧,TO-251(IPAK封装)。如有需要欢迎致电:陈小姐13480955674,QQ:540527081,谢谢惠顾!