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N沟道场效应 MOS-enh S-L,200V,33A,180W 100/120ns Ron=0.085Ω (可代 TRFP251 150V 33A 180W)
常州市亚前电子有限公司 位于江苏省常州市,立足电子行业十余年,主营电子原件,低压电器等。公司秉承“顾客至上,锐意进取”的经营理念,坚持“客户”的原则为业内同行,各电子企业广大客户提供优质的服务。全方位电子产品一站式配套服务,是我们的特色,令客户满意是我们追求的目标,欢迎惠顾!
N沟道场效应 高速高压开关 Idss=1mA 450V 10A 120W 代换2SK385 Ron=0.7Ωmos场效应开关/功率放大
N沟道场效应;200V 9A 75W 50/40ns Ron=0.4Ωmos场效应开关/功率放大
供应SEMIKRON 场效应管模块 SKKD100/08
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