价 格: | 0.30 | |
品牌: | Vishay/威世通 | |
型号: | 30EPH06PBF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | L/功率放大 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 600(V) | |
夹断电压: | 800(V) | |
跨导: | 12(μS) | |
极间电容: | 2(pF) | |
低频噪声系数: | 1.5(dB) | |
漏极电流: | 30(mA) | |
耗散功率: | 450(mW) |
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型号VDRMVRRMITVAK(V)IGTMAX(UA)VGTVTMCaseStyleTYPE(V)(V)(AV)Min(UA)(V)(V)BT131600600112/80002.21.7TO-92BT1692002000.512/2000.81.35TO-92MAC97A6400400112/50001.51.9TO-92MAC97A8600600112/50001.51.9TO-92MCR100-64004000.8752000.81.7TO-92MCR100-86006000.8752000.81.7TO-92本公司生产销售可控硅,封装有TO-92,TO-202自主品牌:HJ 数量:各100K,欢迎来电咨询洽谈,品质保证。