价 格: | 0.06 | |
是否提供加工定制: | 否 | |
品牌/商标: | 长电 | |
型号/规格: | S9014C | |
应用范围: | 放大 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
击穿电压VCBO: | VCEO=45(V) | |
集电极允许电流ICM: | 0.1(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 0.45(W) | |
截止频率fT: | 150(MHz) | |
结构: | 外延型 | |
封装形式: | 直插型 | |
封装材料: | 树脂封装 |
电流特性曲线(X:50mV; Y:10mA;IB:500uA):
因存在线阻和测试温度和测试仪器精度等原因,测得的读数偏大。
dzsc/19/0070/19007005.jpg
hFE测试(X:500mV;Y:500uA;IB:1uA):
dzsc/19/0070/19007005.jpg
耐压特性曲线VCEO(X:10V; Y:500uA):
dzsc/19/0070/19007005.jpg
耐压特性曲线VCBO(X:20V; Y:500uA):
dzsc/19/0070/19007005.jpg
描述:
dzsc/19/0070/19007005.jpg
dzsc/19/0070/19007005.jpg
類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 表面黏著式FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 30V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 56A開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 9.5毫歐姆@ 15A,10V輸入電容(Ciss)@Vds 1150pF @ 15V功率 - 50W封裝 編帶和捲軸封裝(TR)閘電流(Qg) @ Vgs 14nC @ 4.5V封裝/外殼 DPak (TO-252)閘極至源極的電壓(Vgs) 20V"
描述电流, Id 连续:49A电压, Vds :55V在电阻RDS(上):0.0111ohm电压 @ Rds测量:10V封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功耗:80W电压, Vgs :20V