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Transistor,MOSFET,N Channel FDP18N50 - 场效应管

价 格: 面议
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
型号/规格:FDP18N50
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
材料:GE-N-FET锗N沟道

晶体管极性:ñ频道

  • 电流, Id 连续:18A
  • 电压, Vds :500V
  • 在电阻RDS(上):265mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
  • 功耗, Pd:235W
  • 工作温度范围:-55°C 到 150°C
  • 封装类型:TO-220
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
  • 功耗:235W
  • 封装类型:TO-220
  • 漏极电流, Id 值:18A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电压, Vgs :30V
  • 电流, Idm 脉冲:72A
  • 表面安装器件:通孔安装
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深圳市佰昇电子有限公司
公司信息未核实
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