价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | IR,MOT,三星,哈里斯 | |
型号/规格: | IRF532 | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | /(V) | |
夹断电压: | /(V) | |
极间电容: | /(pF) | |
低频噪声系数: | /(dB) | |
漏极电流: | /(mA) | |
耗散功率: | /(mW) |
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