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供应HFA06TB120,HFA06TB120PBF原装,MOS管,IGBT专卖

价 格: 8.00
品牌:IR/国际整流器
型号:HFA06TB120
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:MOS-TPBM/三相桥
封装外形:LLCC/无引线陶瓷片载
材料:GE-N-FET锗N沟道
开启电压:1200(V)
夹断电压:800(V)
跨导:10(μS)
极间电容:500(pF)
低频噪声系数:150(dB)
漏极电流:120(mA)
耗散功率:50(mW)

供应原装HFA06TB120场效应管,原装。
深圳奇彩欣电子长期供应国际整流器(IR)、威世(VISHAY)、意法半导体(ST)、仙童(FSC)等品牌的场效应管(MOSFET)、IGBT。欢迎

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深圳市奇彩欣电子有限公司
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