TRUESEMI 型号 TSF2N60
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 IGBT绝缘栅比极

特点

■2.0A，600V，Rds(on) =5.5ΩVGS= 10V

■栅极电荷（典型的15nC）

■高耐用性

■快速开关

■100％雪崩测试

■改进的dv / dt的能力

概述

这款功率MOSFET采用了Truesemi先进的DMOS生产工艺.这项技术旨在限度地减少通态电阻，具有较高的坚固的雪崩特性，如快速开关时间，低栅极电荷，通常用于在AC功率MOSFET适配器，电池充电器和SMPS。

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