仙童一级代理商FSBB20CH60
| 价 格： | 39.00 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | FSBB20CH60 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | NF/音频(低频) | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 1（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
仙童部分型号到货,欲购从速：
IKW15T120 英飞凌
FQA24N50 FSC
FGL60N100BNTD FSC
HGTG30N60A4D FSC
HGTG11N120CND FSC
RHRP860 FSC
RHRP15120 FSC
RHRG30120 FSC
FFPF30U60ST FSC
FFA30U60D FSC
2N7000TA SGL160N60,SGH80N60UFD,SGH40N60UFD,FGL60N100BNTD
6N136 6N135,FOD3150,6N137 4LCX138MX FAN1112SX_NL
FAN7000D FAN7311AGX FDG6303N FDG6321C FDN5630_NL
FDS9926A FDS6690,FDS6885,FDS4559 FEP16DT
FEP16HT FFA30U60DNTU FFB3904 FJA13009TU
FJL6820TU FJL6920TU FJP13007H1TU_F080 FJP13009H2TU,FJA13009TU,FYP2010
FJP13007H2TU_F080 FJP13009H2TU_F080 FJP5027RTU_F080
FM75M8X FQA16N50 FQP7N80C,FQPF5N60C,FQP12N60C,FQPF10N60C,FQPF3N80,FQPF6N60C,FQPF6N80C
FQA32N20C FQP34N20,FDPF39N20,FSFR2100,FSFR1800,FSFR1700,FAN7527,FAN7530,FSDM0265RNB,KA5M02659RN
FQD13N10TM FQD5N50C,FQU2N60,FQA13N80 FQA9N90C FDP18N50V2 FSAM30SH60A,FSAM10SH60A,FSBB15CH60F,FSBB15CH60,FSBB20CH60F,FSBB20CH60,FSBF15CH60BT
FOD3181
Flypowers electronics co.,Ltd (飞捷电子有限公司)
Simon.yang MP:0086-139-0296 9450
Tel:0086-755-8825 0321 Fax:0086-755-8825 7896
QQ:787283808 ZIP:518131
Web:http://www.flypowers.com 服务热线：400 608 2829
中国.深圳市民治梅龙大道皇嘉梅陇公馆广场A座1310-1314
友情提示：网上报价仅供参考！订货前需电话确认！
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 杨宝林
- 电话：755-88250321
- 传真：755-88250321
- 手机：
- QQ ：
现货热销ISL9R3060G2
信息内容：仙童 飞兆 Fairchild代理Manufacturer:Fairchild Semiconductor Product Category:Rectifiers RoHS:dzsc/19/0063/19006377.jpg Details Configuration:Single Reverse Voltage:600 V Package / Case:TO-247 Recovery Time:45 ns Forward Voltage:2.4 V Forward Continuous Current:30 A Max Surge Current:325 A Reverse Current IR:100 uA Power Dissipation:200 W Product:Ultra Fast Recovery Rectifier Packaging:Tube
现货热销仙童单管SGS10N60RUFDTU
信息内容：FSC FAIRCHILD IC 半导体 电子Manufacturer:Fairchild Semiconductor Product Category:IGBT Transistors RoHS:dzsc/19/0486/19048658.jpg Details Package / Case:TO-220F Collector- Emitter Voltage VCEO Max:600 V Collector-Emitter Breakdown Voltage:600 V Collector-Emitter Saturation Voltage:2.2 V Maximum Gate Emitter Voltage:20 V Continuous Collector Current Ic Max:16 A Gate-Emitter Leakage Current: /- 100 nA Power Dissipation:55 W Packaging:Tube Configuration:Single
