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供应原装IRLZ44NPBF场效应管

价 格: 1.00
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRLZ44NPBF
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:L/功率放大
封装外形:WAFER/裸芯片
材料:GE-N-FET锗N沟道

 现货批发原装进口IC,量大订货2-3周,欢迎查询订购

配置:Single
晶体管极性:N-Channel
 

 

电阻汲极/源极 RDS(导通):22 m Ohms
正向跨导 gFS(值/最小值):21 S
 

 

汲极/源极击穿电压:55 V
闸/源击穿电压: /- 16 V
 

 

漏极连续电流:41 A
功率耗散:110 W
 

 

工作温度: 175 C
安装风格:Through Hole
 

 

封装 / 箱体:TO-220AB

深圳市新源江贸易有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 李俊龙
  • 电话:0755-83957788
  • 传真:0755-83957788
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信息内容:

原装现货,欢迎查询 产品种类:MOSFET 小信号 RoHS:dzsc/19/0072/19007296.jpg 详细信息配置:Dual Dual Source 晶体管极性:P-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通):89 m Ohms 汲极/源极击穿电压:- 12 V闸/源击穿电压: /- 8 V 漏极连续电流:- 2.5 A功率耗散:1 W 工作温度: 150 C安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSSOP-8封装:Reel 最小工作温度:- 55 C

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信息内容:

现货批发原装进口IC,量大订货2-3周,欢迎查询订购产品种类:MOSFET 功率 RoHS:dzsc/19/0579/19057958.jpg详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通):1.25 Ohms 汲极/源极击穿电压:600 V闸/源击穿电压: /- 30 V 漏极连续电流:6 A功率耗散:125 W 工作温度: 150 C安装风格:Through Hole"

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