| 价 格: | 0.65 | |
| 品牌: | 台湾UTC | |
| 型号: | UTC2N60 | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | D/变频换流 | |
| 封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料: | GE-P-FET锗P沟道 | |
| 开启电压: | 600(V) | |
| 夹断电压: | 600(V) | |
| 跨导: | 1(μS) | |
| 极间电容: | 1(pF) | |
| 低频噪声系数: | 1(dB) | |
| 漏极电流: | 1(mA) | |
| 耗散功率: | 1(mW) |
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