| 价 格: | 1.20 | |
| 品牌: | TOSHIBA/东芝 | |
| 型号: | K3679 | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | DC/直流 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压: | 90(V) | |
| 夹断电压: | 900(V) | |
| 跨导: | 5(μS) | |
| 极间电容: | 21(pF) | |
| 低频噪声系数: | 19(dB) | |
| 漏极电流: | 8(mA) | |
| 耗散功率: | 3(mW) |
K3679:8A 900V
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