价 格: | 1.20 | |
品牌: | TOSHIBA/东芝 | |
型号: | K3679 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | DC/直流 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 90(V) | |
夹断电压: | 900(V) | |
跨导: | 5(μS) | |
极间电容: | 21(pF) | |
低频噪声系数: | 19(dB) | |
漏极电流: | 8(mA) | |
耗散功率: | 3(mW) |
K3679:8A 900V
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