价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STW20NA50 | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | DC/直流 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 |
【产品型号】:STW20NA50
【生产厂家】:ST
【封装形式】:TO247
【基本参数】:MOS管 V A W Ω
PDF文档链接:http://pdf1.alldatasheetcn.com/datasheet-pdf/view/204446/IRF/IRFU9024NPBF.html以下参数只供参考: 晶体管极性:P通道电流, Id 连续:11A电压, Vds :55V在电阻RDS(上):175mohm电压 @ Rds测量:-10V阈值电压, Vgs th 典型值:-4V功耗, Pd:38W封装类型:I-PAK针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)SMD标号:IRFU 9024N功率, Pd:38W功耗:38W封装类型:IPAK封装类型, 替代:I-PAK时间, t off:23ns时间, t on:13ns温度 @ 电流测量:25°C漏极电流, Id 值:-11A热阻, 结至外壳 A:3.3°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V电压, Vds 典型值:-55V电压, Vgs :-4V电流, Idm 脉冲:44A表面安装器件:通孔安装 "
(以下参数只供参考)晶体管极性:P通道电流, Id 连续:6.5A电压, Vds :200V在电阻RDS(上):800mohm功耗, Pd:75W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:75W功耗:75W封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C热阻, 结至外壳 A:1.7°C/W电压, Vds:200V电流, Idm 脉冲:26A针脚格式:1 g2 d/tab3 s针脚配置:a