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NPN硅低频大功率晶体管3DD4

价 格: 1.00
品牌/商标:国产
型号/规格:3DD4
应用范围:放大
功率特性:小功率
频率特性:低频
极性:NPN型
结构:面接触型
材料:硅(Si)
封装形式:直插型
封装材料:金属封装
集电极允许电流ICM:1.5(A)
集电极耗散功率PCM:10(W)
营销方式:厂家直销
产品性质:军工

特点:产品采用三重扩散工艺,抗烧毁能力强,二次击穿耐量高,温度稳定性好,抗热疲劳能力强.

应用范围:低速开关,低频功率放大,电源调整.

使用范围:-55-175℃

质量等级: 国军标 JP JT JCT级,GS G G 级

执行标准 : GJB33-85   QZJ840611  QZJ840611A

 

陕西电子大楼佰特电子经营部
公司信息未核实
  • 所属城市:陕西 西安
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 何玲
  • 电话:029-84037322
  • 传真:029-84037322
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