价 格: | 45.00 | |
品牌: | IXYS/艾赛斯 | |
型号: | IXEH40N120D1 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | HI-IMP/高输入阻抗 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | IGBT绝缘栅比极 | |
开启电压: | 1200(V) | |
夹断电压: | 1200(V) | |
跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
优势供应IXYS IGBT IXEH40N120D1 全新原装现货 优势供应IXYS IGBT IXEH40N120D1 全新原装现货
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优势供应贴片二三极管SK23TR-TDR 原装现货 优势供应贴片二三极管SK23TR-TDR 原装现货
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