| 价 格: | 45.00 | |
| 品牌: | IXYS/艾赛斯 | |
| 型号: | IXEH40N120D1 | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | HI-IMP/高输入阻抗 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | IGBT绝缘栅比极 | |
| 开启电压: | 1200(V) | |
| 夹断电压: | 1200(V) | |
| 跨导: | 1(μS) | |
| 极间电容: | 1(pF) | |
| 低频噪声系数: | 1(dB) | |
| 漏极电流: | 1(mA) | |
| 耗散功率: | 1(mW) |
优势供应IXYS IGBT IXEH40N120D1 全新原装现货 优势供应IXYS IGBT IXEH40N120D1 全新原装现货
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