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场效应管 WFF16N50N WFF16N50 16N50

价 格: 面议
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
型号/规格:WFF16N50N,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,16A,0.38Ω
材料:N-FET硅N沟道
品牌/商标:Wisdom/威士顿
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
导电方式:增强型

WFF16N50N,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,16A,0.38Ω

产品型号:WFF16N50N

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V): 30/-30

漏极电流Id(A):16

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.38 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):

极间电容Ciss(PF):2300

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):995

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,16A  N-Channel MOSFET

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深圳市金城微零件有限公司
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