| 价 格: | 0.60 | |
| 品牌: | IR/国际整流器 | |
| 型号: | IRFR3303 | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | MOS-FBM/全桥组件 | |
| 封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压: | 30(V) | |
| 夹断电压: | 30(V) | |
| 跨导: | 24(μS) | |
| 极间电容: | 500(pF) | |
| 低频噪声系数: | 24(dB) | |
| 漏极电流: | 500(mA) | |
| 耗散功率: | 600(mW) |
供应场效应管IRFR3303供应场效应管IRFR3303供应场效应管IRFR3303供应场效应管IRFR3303供应场效应管IRFR3303供应场效应管IRFR3303供应场效应管IRFR3303供应场效应管IRFR3303
原装供应场效应IRG4BC30K-S供应场效应IRG4BC30K-S供应场效应IRG4BC30K-S供应场效应IRG4BC30K-S供应场效应IRG4BC30K-S供应场效应IRG4BC30K-S供应场效应IRG4BC30K-S供应场效应IRG4BC30K-S供应场效应IRG4BC30K-S供应场效应IRG4BC30K-S供应场效应IRG4BC30K-S
原装供应场效应11N50原装供应场效应11N50原装供应场效应11N50原装供应场效应11N50原装供应场效应11N50原装供应场效应11N50原装供应场效应11N50原装供应场效应11N50原装供应场效应11N50原装供应场效应11N50原装供应场效应11N50