场效应管 CEF04N6 DFF4N60 4N60
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | CET/华瑞 | |
| 型号/规格： | CEF04N6,MOS,600V,2.5A,2.5Ω,220F DFF4N60,MOS,600V,4.1A | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 夹断电压： | 30 | |
| 开启电压： | 4 | |
| 漏极电流： | 2.5A , 4.1A |
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CEF04N6,MOS,600V,2.5A,2.5Ω,220F DFF4N60,MOS,600V,4.
FEATURES
600V , 2.5A , R DS(ON)=2.5? @VGS=10V.
Super high dense cell design for extremely low R DS(ON).
High power and current handling capability.
TO-220F full-pak for through hole
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- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 AP02N60 AP02N60P 02N60P
信息内容：dzsc/19/0015/19001570.jpgAP02N60P,MOS,600V,2A,8Ω,220
场效应管 ISL9N2357D3ST N2357D ISL9N2357
信息内容：产品型号:ISL9N2357D3ST封装:SOT-252/DPAK源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):35源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.007 @VGS =10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):100极间电容Ciss(PF):5600通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：单脉冲雪崩能量EAS(mJ):温度(℃): -55 ~175描述:30V,35A N-Channel 功率MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
