供应高频K2三极管，K2高频管，K2大功率管(图)
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | Mitsubishi/三菱 | |
| 型号/规格： | K2 | |
| 封装形式： | 贴片型 | |
| 装配方式： | 无引线表面组装 | |
| 封装材料： | 塑料封装 | |
| 结构： | 平面型 | |
| 材料： | 硅 | |
| 极性： | NPN型 | |
| 频率特性： | 高频 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 营销方式： | 现货 | |
| 应用范围： | 放大 |
产品特征：(1)N沟道增强型功率MOSFET管。
(2)适合高频、超高频、射频电路的应用。
(3)内置稳压二极管用于栅极、源极间ESD保护。
(4)功率：1W。 (5)VDSS:30V。 （6)VGSS: 10V。
(7)使用频率:520MHZ。 (8)V(th)开起电压：1-3V，典型值：1.8V。
封装：SOT-89，盘装，３０００个／盘
广泛用于发射接收器上，如遥控器，双向防盗器，电动遥控车，超远距离接收，对讲机等
深圳市协力创科技有限公司
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信息内容：dzsc/19/2228/19222865.jpgdzsc/19/2228/19222865.jpgdzsc/19/2228/19222865.jpg型号：UW 厂家：TOSHIBA 批号：13 环保 产品特征：(1)N沟道增强型功率MOSFET管。(2)适合高频、超高频、射频电路的应用。(3)内置稳压二极管用于栅极、源极间ESD保护。(4)功率：5W。 (5)VDSS:30V。 6)VGSS: 10V。(7)使用频率:900MHZ。(8)V(th)开起电压：1-3V，典型值：1.8V。封装：SOT-89，盘装，1000个／盘广泛用于发射接收器上，如遥控器，双向防盗器，电动遥控车，超远距离接收，对讲机等"
