价 格: | 0.54 | |
品牌: | NXP/恩智浦 | |
型号: | PHD108NQ03LT | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 25V(V) | |
夹断电压: | 20(V) | |
跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 75A(mA) | |
耗散功率: | 180W(mW) |
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11年原装无铅深圳现货 PHD108NQ03LT
dzsc/19/0002/19000226.jpg供应IR IRFI9540G P沟道 100V 11A 48W TO-220F
dzsc/19/0005/19000504.jpgSTP60NE03L-12 TO220F 全新原装现货