| 价 格: | 0.01 | |
| 品牌/商标: | AEI英国联合电子 | |
| 型号/规格: | NTD20N06LT4G | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | MAP/匹配对管 | |
| 封装外形: | CHIP/小型片状 | |
| 材料: | N-FET硅N沟道 |
| NTD20N06L |
| TO-252-3 |
| MOSFET DPAK Pkg |
| 2,500 |
| 離散半導體產品 |
| FET - 單路 |
| - |
| MOSFET N通道,金屬氧化物 |
| 邏輯電平閘極 |
| 48 毫歐姆 @ 10A, 5V |
| 60V |
| 20A |
| 2V @ 250µA |
| 32nC @ 5V |
| 990pF @ 25V |
| 1.36W |
| 表面黏著式 |
| TO-252-3, DPak (2引線 接頭), SC-63 |
| DPAK-3 |
| 編帶和捲軸封裝(TR) |
| 1588 (TW2011-ZH PDF) |
| NTD20N06LT4GOS NTD20N06LT4GOS-ND NTD20N06LT4GOSTR |
SpecificationCurrent Rating :1.5AMPOperation Temperature :-40°C to 105°CContact Resistance : 20mWMaxInsulation Resistance :1000MWMinWithstanding Voltage :AC500VInsulator Material :Polyester(UL94V-0) Standard :Nylon-6TContact Material :Phosphor BronzeContact plating :Au or Sn over 50u''NiInsulator height H=1.0/1.5/2.0/4.0We have 1x2P-1x40P"
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