价 格: | 0.01 | |
品牌/商标: | AEI英国联合电子 | |
型号/规格: | NTD20N06LT4G | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MAP/匹配对管 | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
材料: | N-FET硅N沟道 |
NTD20N06L |
TO-252-3 |
MOSFET DPAK Pkg |
2,500 |
離散半導體產品 |
FET - 單路 |
- |
MOSFET N通道,金屬氧化物 |
邏輯電平閘極 |
48 毫歐姆 @ 10A, 5V |
60V |
20A |
2V @ 250µA |
32nC @ 5V |
990pF @ 25V |
1.36W |
表面黏著式 |
TO-252-3, DPak (2引線 接頭), SC-63 |
DPAK-3 |
編帶和捲軸封裝(TR) |
1588 (TW2011-ZH PDF) |
NTD20N06LT4GOS NTD20N06LT4GOS-ND NTD20N06LT4GOSTR |
SpecificationCurrent Rating :1.5AMPOperation Temperature :-40°C to 105°CContact Resistance : 20mWMaxInsulation Resistance :1000MWMinWithstanding Voltage :AC500VInsulator Material :Polyester(UL94V-0) Standard :Nylon-6TContact Material :Phosphor BronzeContact plating :Au or Sn over 50u''NiInsulator height H=1.0/1.5/2.0/4.0We have 1x2P-1x40P"
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