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NTD20N06LT4G NTD20P06LT4G 20N06 20P06 MOS管 20A 60V

价 格: 0.01
品牌/商标:AEI英国联合电子
型号/规格:NTD20N06LT4G
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:MAP/匹配对管
封装外形:CHIP/小型片状
材料:N-FET硅N沟道

規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)(值)閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - 安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝產品目錄頁面其他名稱
NTD20N06L
TO-252-3
MOSFET DPAK Pkg
2,500
離散半導體產品
FET - 單路
-
MOSFET N通道,金屬氧化物
邏輯電平閘極
48 毫歐姆 @ 10A, 5V
60V
20A
2V @ 250µA
32nC @ 5V
990pF @ 25V
1.36W
表面黏著式
TO-252-3, DPak (2引線 接頭), SC-63
DPAK-3
編帶和捲軸封裝(TR)
1588 (TW2011-ZH PDF)
NTD20N06LT4GOS
NTD20N06LT4GOS-ND
NTD20N06LT4GOSTR

东莞市谐煌塑胶电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 东莞
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 黄文彬
  • 电话:0769-85357572
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信息内容:

SpecificationCurrent Rating :1.5AMPOperation Temperature :-40°C to 105°CContact Resistance : 20mWMaxInsulation Resistance :1000MWMinWithstanding Voltage :AC500VInsulator Material :Polyester(UL94V-0) Standard :Nylon-6TContact Material :Phosphor BronzeContact plating :Au or Sn over 50u''NiInsulator height H=1.0/1.5/2.0/4.0We have 1x2P-1x40P"

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