价 格: | 1.00 | |
集电极耗散功率PCM: | 310mw | |
集电极允许电流ICM: | 0.6 | |
封装形式: | 贴片型 | |
截止频率fT: | 100 | |
型号/规格: | 2N5551 (MMBT5551) | |
材料: | 硅(Si) | |
品牌/商标: | 长电 | |
应用范围: | 功率 |
2n5551小功率硅三极管参数资料:
PCM=310mw
材料;S 硅
Icm=600mA
BVcbo=180v
ft=100MHz
类型:NPN
直流电流增益hFE最小值(dB):80
直流电流增益hFE值(dB):250
集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):160
集电极电流Ic(max)(mA):0.600
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100
一、