供应场效应管模块 IXFN38N100Q2 IXFN38N100
| 价 格： | 75.00 | |
| 品牌/商标： | IXY美国电报半导体 | |
| 型号/规格： | IXFN38N100Q2 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | DUAL/配对管 | |
| 封装外形： | SP/特殊外形 | |
| 开启电压： | 1000（V） | |
| 夹断电压： | 1000（V） | |
| 跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 11（dB） | |
| 漏极电流： | 12（mA） | |
| 耗散功率： | 200（mW） |
【名称】 | 场效应管 | 【厂商】 | TOSHIBA东芝 |
【型号】 | IXFN38N100Q2 | 【环保】 | 无铅环保 |
【封装】 | SOT-227B | 【极性】 | N Channel MOS |
【电流】 | 38A | 【功率】 | 890W |
【电压】 | 1000V | 【阻值】 | 0.25Ω |
【配对】 | - | 【描述】 | 新件 |
广州市越秀区科俊电子商行
公司信息未核实
- 所属城市：广东 广州
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