可控硅二极管模块MFC25A/800V-1600V
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 型号/规格： | MFC25A/800V-1600V | |
| 控制方式： | 单向 | |
| 极数： | 三极 | |
| 封装材料： | 塑料封装 | |
| 封装外形： | 模块 | |
| 关断速度： | 普通 | |
| 散热功能： | 不带散热片 | |
| 功率特性： | 中功率 | |
| 频率特性： | 中频 | |
| 额定正向平均电流： | 25（A） | |
| 控制极触发电压： | 0（V） | |
| 控制极触发电流： | 0（mA） | |
| 正向重复峰值电压： | 0（V） | |
| 反向阻断峰值电压： | 0（V） |
型号 | IT(AV)@Tc | VDRM | VTM@ITM | IDRM | IGT | VGT | IH | dv/dt | di/dt | ITSM/IFSM | VTO | rT | Rjc | Tjm | Viso | 外型 | ||
A | °C | V | V | A | mA | mA | V | mA | V/μs | A/μs | A×103 | V | mΩ | °C/W | °C | V(A.C) |
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MFx25 | 25 | 85 | 600-1800 | 1.69 | 80 | 8 | 100 | 2.5 | 150 | 800 | 50 | 0.55 | 0.85 | 9.68 | 0.950 | 125 | 2500 | |
MFx40 | 40 | 85 | 600-1800 | 1.60 | 120 | 8 | 100 | 2.5 | 150 | 800 | 50 | 1.00 | 0.85 | 5.57 | 0.650 | 125 | 2500 | |
MFx55 | 55 | 85 | 600-1800 | 1.50 | 170 | 8 | 100 | 2.5 | 150 | 800 | 50 | 1.25 | 0.85 | 3.47 | 0.530 | 125 | 2500 | |
MFx55H | 55 | 70 | 1900-3000 | 1.96 | 120 | 10 | 150 | 3.0 | 150 | 800 | 50 | 1.15 | 0.90 | 5.85 | 0.640 | 125 | 3600 | |
MFx70 | 70 | 85 | 600-1800 | 1.48 | 210 | 10 | 100 | 2.5 | 150 | 800 | 50 | 1.60 | 0.80 | 2.64 | 0.410 | 125 | 2500 | |
MFx70H | 70 | 70 | 1900-3000 | 1.93 | 210 | 12 | 150 | 3.0 | 150 | 800 | 50 | 1.60 | 0.90 | 4.64 | 0.450 | 125 | 3600 | |
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焊机专用二极管模块MDG200A/1600V
信息内容：1特点 应用 说明 1、非绝缘，底板为公共电极 2、国际标准封装3、全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力4、工作结温达150℃5、高浪涌电流6、低正向压降 1、电焊机电源 2、各种DC电源3、变频器4、劢磁电源 1、VRSM=VRRM 200V除VFM，Viso外，表中参数皆为在 Tjm下的测试值。2、当使用在电流为60HZ情况下：ITSM(8.3ms)=ITSM(10ms)×1.066,Tj=TjmI2t(8.3ms)=I2t(10ms)×0.943,Tj=Tjm3、VTO:门槛电压，rT斜率电阻仅供设计时计算器件的功耗以及不同温度条件下的电流额定值之用。4、I2t=I2FSMtW/2; tw=正弦半波电流底宽。在50HZ情况下，I2t(10ms)=0.005I2FSM(A2S)MDG，MDY型号IF(AV)@TcVRRMVFM@IFMIRRMIF(RMS)IFSMI2tVFOrFRjcTjm外型A°CVVAmAmAA×103A2s×104VmΩ°C/W°C MDx6060115200-6001.301806942.503.180.802.390.500150outlineMDx5050100800-18001.601508791.901.840.804.780.700150 MDx8080115200-6001.3324081263.405.890.801.510.400150 MDx100100100800-18001.57300121573.907.750.802.130.380150 MDx100100115200-6001.3530081574.208.990.801.590.290150 MDx130130115200-6001.39390122045.5015.420.801.080.230150 MDx1501...
可控硅模块MTC200A/1800V
信息内容：符号 参数名称 参数值 单位 测试条件 ITAV 通态电流 平均值 130 160 180 A TV J=TV J M180°导通 正弦半波IFAV正向电流 平均值 160180AIORMS通态电流 有效值290355400A ITSMIFSM浪涌电流320036504750500051005400At=10mS TJ=45℃t=8.3mS 100%V RRMI2T 5147113103130120KA2St=10mS TJ=45℃t=8.3mS 100%V RRMIRRM/IDRM断态漏电流101010mATJ=125℃,门极开路VRRM反向重复峰值电压800-1800V125℃ I RRM,I DRM=10mA门极开路VDRM断态重复峰值电压VTMVFM峰值通态电压峰值正向电压1.61.61.61.61.9VITM=πITAV；IFM=πIFAVTJ=25℃ 180°导通 压接1.9VDi/dt通态电流上升率150A/μSTJ=25℃,0.67VDRM ITM=ITAV,Ig=500mA Tr<0.5μs,tp>6μsDv/dt断态电压上升率500V/μSTJ=125℃,0.67VDRM，门极开路IH维持电流200mATJ=25℃,阳极电压=6V 阻性负载，门极开路IL擎住电流400mATJ=25℃ 阳极电压=6V 阻性负载PGM门极峰值功率120WTJ=TJM；IT=ITAV；TP=30μSVGT门极触发电压≤2VTJ=25℃ 阳极电压=6V 阻性负载IGT门极触发电流≤100mAVISO绝缘电压2500V50HZ电路对基板，接线端短接。T=1sTJ工作结温/-40 to 125℃℃ Tstg储存温度RthJC结壳热阻0.120.110.11K/W每个...
