ST意法半导体场效应管STGP20NC60V
| 价 格： | 15.00 | |
| 品牌： | ST/意法 | |
| 型号： | STGP20NC60V | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | CC/恒流 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 1（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 低频跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
ST原装IGBT单管STGW20NC60VD,全新原装现货,600PCS/盒,有需要请联系
意法半导体(ST)日前推出PowerMESH系列绝缘栅比极晶体管。新器件专为家电电机控制、功率因数校正和电磁加热应用而设计。此系列绝缘栅双极晶体管采用一项与载流子寿命控制相关的带状布局专利技术，这项技术能够改进器件的集电极-发射极饱和电压特性，同时还能降低开关损耗，从而使个系列产品适合高达50KHz的开关应用。
STGP20NC60V和STGW20NC60V均为30A、600V N沟道器件，采用TO-220或TO-247封装。为避免交叉传导现象，降低栅电荷，这两个产品优化了Crss/Ciss比例。它们的开关损耗包括尾电流和二极管恢复能量。STGW20NC60VD是一个TO-247封装的STGW20NC60V器件，区别是在同一个封装内的集电极与发射极之间增加一个续流二极管。而STGW40NC60V是一个TO-247封装的50A、600V的器件，STGY40NC60VD是一个与STGW40NC60V类似的产品，不同点是在Max247封装内增加一个反并联二极管。
所有器件的工作温度都是150℃，集电极-发射极饱和电压都很低，在额定电流时低于2.5V。
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