价 格: | 7.50 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | 94-2404 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量 dzsc/18/9971/18997175.jpg
数据列表KSC1507产品相片TO-220-3, TO-220AB产品变化通告Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007标准包装200类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)()200µA电压 - 集电极发射极击穿()300VIb、Ic条件下的Vce饱和度()2V @ 5mA, 50mA电流 - 集电极截止()-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 10mA, 10V功率 - 15W频率 - 转换80MHz安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220包装散装 dzsc/18/9983/18998313.jpg
数据列表SUP60N06-12PPackaging Information产品相片TO-220-3, TO-220AB标准包装500类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列TrenchFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 30A, 10VId 时的 Vgs(th)()4.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs55nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1970pF @ 30V功率 - 3.25W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装带卷 (TR)dzsc/18/9984/18998437.jpg经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量