IR进口原装场效应管/散新场效应管 IRFP26N60L
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | IRFP26N60L | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | SB肖特基势垒栅 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
IR进口原装场效应管/散新场效应管 IRFP26N60L
IR进口原装场效应管/散新场效应管 IRFP26N60L
IRFP26N60L产品规格 参数
Datasheets IRFP26N60LPBF
Product Photos TO-247-3
Catalog Drawings IRFP Series Side 1
IRFP Series Side 2
Standard Package 500
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series -
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 26A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 180nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 5020pF @ 25V
Power - Max 470W
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-247-3
Supplier Device Package TO-247-3
Packaging Tube
Catalog Page 1308 (US2011 Interactive)
1308 (US2011 PDF)
Other Names *IRFP26N60LPBF
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
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FSC仙童MOS场效应管 FQPF6N60C 6N60 原装/拆机场效应管
信息内容：制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 2 Ohms 正向跨导 gFS（值/最小值） : 4.8 S 汲极/源极击穿电压: 600 V 闸/源击穿电压: /- 30 V 漏极连续电流: 5.5 A 功率耗散: 40 W 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220F 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C 零件号别名: FQPF6N60C_NL
场效应管 AO4407 AO4407A 原装 型号齐全现货
信息内容：本公司经营高低频MOS管：8205A，8205S，FDS4953，9926A，AO4407,APM4410,，4435，CEM9435A，AO4413， AO4606，AO4604，4953A，SI2300，SI2301，5N20V,AO3400,AO3401 ,AO4801,AO4803,AO4805,AO4405,AO8810,AO8822,锂电保护IC：DW01 ，S8261，HY2110-CB，TF4054，FTD2017等， 价格，质量保证，竭诚为各厂家提供配套服务。。欢迎采购咨询!商用QQ 838205202本司可开17点发票!"
