价 格: | 1.50 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STD3NK60ZT4 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 3-4.5(V) | |
夹断电压: | 0(V) | |
漏极电流: | 2.4A(mA) | |
耗散功率: | 45W(mW) |
描述
描述二极管配置:双共阴极二极管类型:Schottky电压, Vrrm:150V电流, If 平均:40A正向电压 Vf :920mV电流, Ifs :250A封装形式:TO-3P针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)封装类型:TO-3P正向电压, 于If:920mV正向电流 If:20A电流, If 有效值:60A电流, Ifsm:250A结温, Tj :175°C表面安装器件:通孔安装
描述晶体管极性:N漏极电流, Id 值:5.5A电压, Vds :600V开态电阻, Rds(on):2ohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs :30V功耗:40W工作温度范围:-55°C to 150°C封装类型:TO-220F针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)功率, Pd:40W封装类型:TO-220F晶体管数:1晶体管类型:MOSFET电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:600V电流, Id 连续:5.5A电流, Idm 脉冲:22A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th 典型值:4V 重量(公斤):0.00211"