场效应管2SK2666 K2666
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | TOSHIBA/东芝 | |
| 型号： | K2666 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 3（V） | |
| 夹断电压： | 900（V） | |
| 低频跨导： | 222（μS） | |
| 极间电容： | 2222（pF） | |
| 低频噪声系数： | 2222（dB） | |
| 漏极电流： | 3A（mA） | |
| 耗散功率： | 30W（mW） |
2SK2666 3A 900V <4.7Ω 30W
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