场效应管 IRFZ46ZL / IRFZ46ZLPBF / FZ46ZL / IRFZ46Z
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFZ46ZL | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SP/特殊外形 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 4（V） | |
| 极间电容： | 1460（pF） | |
| 漏极电流： | 51,000（mA） | |
| 耗散功率： | 82,000（mW） |
IRFZ46ZL中文资料：
制造商 | International Rectifier |
制造商零件编号 | IRFZ46ZLPBF |
描述 | MOSFET N-CH 55V 51A TO-262 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | HEXFET® |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 标准型 |
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C | 13.6毫欧 @ 31A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 51A |
Id时的 Vgs(th)（） | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 46nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1460pF @ 25V |
功率 - | 82W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3（直引线） |
供应商设备封装 | TO-262 |
包装 | 管件 |
公司照片：
dzsc/18/9953/18995349.jpg
dzsc/18/9953/18995349.jpg
dzsc/18/9953/18995349.jpg
dzsc/18/9953/18995349.jpg
备注：
1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。
2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。
IRFZ46ZL订购及咨询：
深圳市丰尔电子有限公司
电话：0755-83687516（7线）
商务QQ：120279071
MSN： jason-yufo@hotmail.com
E-mail：yufo_ic@163.com
手机： 13590258862 / 13531791171
更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 杨金海
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
场效应管 IRF3704ZCS / IRF3704ZCSTRRP / F3704ZCS
信息内容：IRF3704ZCS中文资料： 制造商International Rectifier制造商零件编号IRF3704ZCSTRRP描述MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列HEXFET®FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C7.9毫欧 @ 21A, 10V漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C67AId时的 Vgs(th)（）2.55V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1220pF @ 10V功率 - 57W安装类型表面贴装 封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装D2PAK包装带卷 (TR)公司照片：dzsc/18/9957/18995719.jpgdzsc/18/9957/18995719.jpgdzsc/18/9957/18995719.jpgdzsc/18/9957/18995719.jpg 备注： 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。 IRF3704ZCS订购及咨询： 深圳市丰尔电子有限公司 电话：0755-83687516（7线） 商务QQ：120279071 MSN： jason-yufo@hotmail.com E-mail：yufo_ic@163.com 手机： 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
场效应管 PHB55N03LTA / PHB55N03 / 55N03
信息内容：PHB55N03LTA中文资料： 制造商NXP Semiconductors制造商零件编号PHB55N03LTA,118描述MOSFET N-CH 25V 55A D2PAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列TrenchMOS™FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C14毫欧 @ 25A, 10V漏极至源极电压(Vdss)25V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C55AId时的 Vgs(th)（）2V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)950pF @ 25V功率 - 85W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装D2PAK包装带卷 (TR) 公司照片：dzsc/18/9979/18997970.jpgdzsc/18/9979/18997970.jpgdzsc/18/9979/18997970.jpgdzsc/18/9979/18997970.jpg 备注： 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。 订购及咨询： 深圳市丰尔电子有限公司 电话：0755-83687516（7线）； 商务QQ：120279071 MSN：jason-yufo@hotmail.com E-mail：yufo_ic@163.com 手机：13590258862/13531791171 更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/ "
