| 价 格: | 0.66 | |
| 品牌: | PHILIPS/飞利浦 | |
| 型号: | HEF4021BT | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | D-G双栅四极 | |
| 封装外形: | CHIP/小型片状 | |
| 材料: | GE-P-FET锗P沟道 | |
| 开启电压: | 100(V) | |
| 夹断电压: | 100(V) | |
| 低频跨导: | 100(μS) | |
| 极间电容: | 100(pF) | |
| 低频噪声系数: | 100(dB) | |
| 漏极电流: | 100(mA) | |
| 耗散功率: | 100(mW) |
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型 号: HEF4021BT
厂 商: Philips Semiconductors
描 述: 8-bit static shift register
中文描述: 8位静态移位寄存器