FU120N IRFU120N IRFU120NPBF IR场效应管 100V 9.1A 进口全新
| 价 格： | 0.10 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | FU120N IRFU120N IRFU120NPBF | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 用途： | MOS-INM/独立组件 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
dzsc/18/9948/18994809.jpg
| （深圳科顺龙电子）产品详情： | INTERNATIONAL RECTIFIER - IRFU120NPBF - 场效应管 MOSFET N I-PAK 100V 9.1A彭志毫
公司信息未核实
公司相关产品
IRF640 IRF640NPBF IR场效应管 全新原装 长期供应信息内容：数据列表 IRF640N(S,L)PbF 产品相片 TO-220AB PKG 产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB 标准包装 50类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单 系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 18A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 150 毫欧 @ 11A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 67nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1160pF @ 25V 功率 - 150W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 其它名称 *IRF640NPBF dzsc/18/9968/18996884.jpg科顺龙电子商行主要经销的产品有：邦士精密电位器，场效应管，电源控制IC，IGBT，MCU单片机，LCD驱动IC等等。代理分销优势品牌热卖：BOURNS（邦士精密电位器）IR（国际整流器）FREESCALE MICROCHIP(微芯代理全系列货源) 热卖场效应管系列：IRF540N,IRF630N,IRF640N,IRF730,IRF740,IRF830,IRF840,IRF9530N,IRF9540N,IRF9630,IRF9640,IRF9Z24N,IRF9Z34N,IRFZ24N,IRFZ34N,IRFZ44N,IRFZ48N,IRFP150N,IRFP250N,IRFP260N,IRFP264,IRFP450,IRFP460,IRFP460A,IRFBE30,MBR20100CTK,8ETH06,15ETH06,IRFP1... 
IRFB4227PBF - IRFB4227 场效应管 200V TO-220 IR进口原装信息内容：INTERNATIONAL RECTIFIER - IRFB4227PBF - 场效应管 MOSFET N 200V TO-220dzsc/18/9979/18997920.jpg制造商:INTERNATIONAL RECTIFIER库存编号:1298536制造商编号:IRFB4227PBF 晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:65A电压, Vds :200V在电阻RDS（上）:19.7mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:5V功耗, Pd:330W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)功率, Pd:190W功耗:330W单脉冲雪崩能量 Eas:140mJ封装类型:TO-220AB漏极电流, Id 值:65A漏极连续电流, Id @ 100摄氏度:46A漏极连续电流, Id @ 25摄氏度:65A热阻 Rth:0.45电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds:200V电压, Vds 典型值:200V电压, Vgs :30V电容值, Ciss 典型值:4600pF电流, Idm 脉冲:260A表面安装器件:通孔安装?RoHS协从产品: 是dzsc/18/9979/18997920.jpgRoHS协从证明 相关产品 | ||
