价 格: | 2.00 | |
品牌: | TOSHIBA/东芝 | |
型号: | 2SK3564 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-HBM/半桥组件 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 900(V) | |
夹断电压: | 900(V) | |
跨导: | 23(μS) | |
极间电容: | 560(pF) | |
低频噪声系数: | 24(dB) | |
漏极电流: | 500(mA) | |
耗散功率: | 600(mW) |
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