| 价 格: | 1.00 | |
| 品牌: | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号: | IPB090N06N3G | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 耗尽型 | |
| 用途: | MOS-FBM/全桥组件 | |
| 封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压: | 30(V) | |
| 夹断电压: | 30(V) | |
| 跨导: | 24(μS) | |
| 极间电容: | 500(pF) | |
| 低频噪声系数: | 24(dB) | |
| 漏极电流: | 24(mA) | |
| 耗散功率: | 24(mW) |
供应场效应管IPB090N06N3G供应场效应管IPB090N06N3G供应场效应管IPB090N06N3G供应场效应管IPB090N06N3G供应场效应管IPB090N06N3G供应场效应管IPB090N06N3G供应场效应管IPB090N06N3G
场效应管HUF75639S3S场效应管HUF75639S3S场效应管HUF75639S3S场效应管HUF75639S3S场效应管HUF75639S3S场效应管HUF75639S3S场效应管HUF75639S3S
供应场效应GS10B60KD供应场效应GS10B60KD供应场效应GS10B60KD供应场效应GS10B60KD供应场效应GS10B60KD供应场效应GS10B60KD供应场效应GS10B60KD供应场效应GS10B60KD