场效应管HX16N50C TO-247/3P
| 价 格： | 4800.00 | |
| 品牌/商标： | HX(环鑫) | |
| 型号/规格： | HX16N50C | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 低频噪声系数： | 0.1 | |
| 低频跨导： | 0.1 | |
| 漏极电流： | 0.1 |
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HX16N50C TO-220F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
∗ 16A，500V，RDS(on)=0.32Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力
其它规格：1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 蒋德平
- 电话：0755-89516539
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供应场效应管50N50
信息内容：韩国进口产品现货、质量稳定、价格合理现货长期供应全新场效应管场效应管WFL50N50 TO-264,质量保证.随时有货.有实力的公司可以月结.欢迎来电WFL50N50 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。∗ 50A，500V，RDS(on)=0.12Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快dzsc/18/9947/18994765.jpgWFL50N50 TO-264 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。∗ 50A，500V，RDS(on)=0.12Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快
