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IGBT,SGL25N120RUF,25N120

价 格: 面议
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
型号/规格:SGL25N120RUF,IGBT,1200V
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
材料:IGBT绝缘栅比极
开启电压:7.5(V)
夹断电压:± 25(V)
极间电容:2400(pF)
漏极电流:25A(mA)
耗散功率:270W(mW)

FAIRCHILD IGBT系列:
FGS15N40LTF SOP-8 400V 15A 08NPB
HGTD7N60C3S SOT-252 600V 14A 08NPB
SGR15N40L SOT-252 400V 130A 07NPB
SGR20N40L SOT-252 400V 150A 04
HGTP12N60C3 TO-220 600V 12A 07
HGTP12N60C3D TO-220 600V 12A 03
HGTP12N60C3D TO-220 600V 24A 02
HGTP7N60C3D TO-220 600V 14A 03
ISL9V2040P3 TO-220 430V 10A 06
R4900 TO-220 600V  05
SGH40N60UFD TO-247 600V 40A 05
SGH80N60UFD TO-247 600V 80A 
FGA15N120ANDTU TO-3P 1200V 15A 
FGA25N120ANTDTU TO-3P 1200V 25A 04
HGTG27N120BN TO-3P 1200V 72A 
HGTG7N60A4 TO-3P 600V 34A 04
HGTG7N60A4D TO-3P 600V 34A 04
SGH10N120RUFD TO-3P 1200V 10A 04
SGH15N60UF TO-3P 600V 15A 04
SGH23N60UFD TO-3P 600V 23A 07
SGH40N60UF TO-3P 600V 40A 04
SGF23N60UFD TO-3PF 600V 23A 05
FGL60N100BNTD TO-3PL 1000V 60A 05
SGL25N120RUF TO-3PL 1200V 25A 
SGL25N120RUFD TO-3PL 1200V 25A 07
SGL40N150D TO-3PL 1500V 40A 05
SGL50N60RUF TO-3PL 600V 50A 02
SGL5N150UF TO-3PL 1500V 5A 
SGL60N90DG3 TO-3PL 900V 60A 
SGL25N120RUF    TO-3PL  1200V   25A     05
infineon IGBT系列:
SGD02N60 SOT-252 600V 2A 
SGD06N60 SOT-252 600V 6A 07
SGD02N120 SOT-252 1200V 2A 03
SGD04N60 SOT-252 600V 4A 07
K4N60LV SOT-252 600V 4A 07
BTS2140-1B SOT-263 0 0 07NPB
SGB20N60 SOT-263 0 0 06NPB
SKB15N60 SOT-263 600V 31A 06NPB
IKB06N60T SOT-263 600V 6A 07NPB
SGB02N120 SOT-263 1200V 2A 06NPB
HGT1S10N120BNS SOT-263 1200V 32A 05
IKP20N60T TO-220 600V 20A 07NPB
SGP10N60A TO-220 600V 10A 07NPB
IKP06N60T TO-220 600V 6A 07NPB
SGP15N60 TO-220 600V 15A 06NPB
BUP314 TO-3P 1200V 52A 
IR IGBT系列:
IRGS4B60KD1TRR SOT-263 600V 12A 04
IRG4BC20KD-S SOT-263 600V 9A 05
IRG4BC30S-STRR SOT-263 600V 34A 02
IRG4BC30FD TO-220 600V 17A 01
IRG4PC50UD TO-247 600V 27A 05
IRGPC50U TO-247 600V 27A 05
IRGPF50FD2 TO-247 0 0 99
IRGPC50UD2 TO-247 600V 27A 05

深圳市金城微零件有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 方卫贤
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信息内容:

产品型号:TK12E60U封装:TO-220源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):12源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.4 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):5功率PD(W):144极间电容Ciss(PF):720通道极性:N沟道低频跨导gFS(s):7单脉冲雪崩能量EAS(mJ):69温度(℃): -55 ~150描述:600V,12A MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)

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