| 价 格: | 2.20 | |
| 品牌/商标: | TOSHIBA/东芝 | |
| 型号/规格: | K80E06K3 | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | MOS-FBM/全桥组件 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 开启电压: | 60(V) | |
| 夹断电压: | 60(V) | |
| 跨导: | 24(μS) | |
| 极间电容: | 2450(pF) | |
| 低频噪声系数: | 23(dB) | |
| 漏极电流: | 599(mA) | |
| 耗散功率: | 600(mW) |
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