价 格: | 0.90 | |
功率特性: | 中功率 | |
关断速度: | 普通 | |
极数: | 三极 | |
额定正向平均电流: | 8(A) | |
散热功能: | 带散热片 | |
频率特性: | 超高频 | |
型号/规格: | TS820 | |
封装外形: | TO-251 | |
反向重复峰值电压: | 600(V) | |
品牌/商标: | SEMIWILL | |
控制极触发电流: | 10(mA) | |
控制方式: | 单向 | |
封装材料: | 塑料封装 |
TS820系列TO-252封装单向可控硅晶闸管
产品特点:
• PNPN四层结构的硅器件;
• P型对通扩散隔离;
• 台面玻璃钝化工艺,背面多层金属电极;
• 抗电流冲击能力;
• 具有较高的温度稳定性;
• TO-252型塑料封装。
主要应用:
• 摩托车电压调节器;
• 直发器;
• 工业和家庭用照明控制;
• 加热控制;
• 其它相控电路;主要参数:
电压≥600V 通态均方根电流8A 通态压降≤1.75V
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IRF840-MOS管-场效应管-MOSFET 概述场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 产品特性:热阻低、开关速度快、输入阻抗高、符合RoHS规范 主要参数:漏-源电压VDS≥500V 漏极电流ID=8.5A 导通电阻RDS≤0.85ohm
全系列标准单向可控硅(晶闸管)完全取代PHILIPS/ST/ONSEMI 相关型号。型号:单向可控硅:BT169D/G MCR100-6/8 MCR22-8 MCR706 X0205 X0405 2P4M BT151 BT152 TYN612 TYN620 TYN625 CS30 CS45 CS60等双向可控硅:BT131 BT134 BT136 BT137 BT138 BT139 BTA04 BTA06 BTA08 BTA10 BTA12 BTA16 BTA20 BTA24 BTA41等封装形式:TO-92 TO-251 TO-252 TO-202 TO-220 TO-3P TO-126等符合RoHS环保要求。包装方式:管装 欢迎来电咨询。021-34637345 34637172