光电参数(Ta=25℃)
产品型号 | 颜色 | 波长 λp(nm) | 正向电压 VF(V) | 反向电流 IR(UA) | 发光强度(mcd) | 发光角度 2θ1/2 |
IF=20mA | IF=20mA | VR=5V | IF=20mA | IF=20mA | ||
3G4SC | 翠绿 | 520-525 | 3.0-3.2-3.4 | ≤5 | 4000-5000 | 25 |
其它参数
外形图 单位:mm | 极限参数 |
dzsc/18/9860/18986068.jpg | 功耗 |
PM=100mw | |
正向电流 | |
IFM=50mA | |
建议使用电流 | |
15 mA-18 mA | |
正向脉冲峰电流 | |
IFP=75mA | |
反向电压 | |
5V | |
焊接温度 | |
260℃(<5S) | |
工作环境温度 | |
-25℃-- 85℃ | |
储存温度 | |
-30℃- 85℃ |
光电参数(Ta=25℃)产品型号颜色 波长λp(nm)正向电压VF(V)反向电流IR(UA)发光强度(mcd)发光角度2θ1/2IF=20mAIF=20mAVR=5VIF=20mAIF=20mA503W4VC白发白-3.0-3.2-3.4≤10 12000-1400025 其它参数外形图 单位:mm极限参数 dzsc/19/0155/19015530.jpg功耗PM=100mw正向电流IFM=50mA建议使用电流15 mA-18 mA正向脉冲峰电流IFP=75mA反向电压5V焊接温度260℃(<5S)工作环境温度-25℃-- 85℃储存温度-30℃- 85℃
Part Number(编码)Chip(晶片) Material(材料)Emitting(颜色)入P(nm)GaN/GaNBlue460-465 Parameter(参数)SymbolMINTYPMAXUNITTEST CONDITIONForward Voltage(顺向电压)VF3.0/3.4VIf=20mADomi Wavelength(主波长)λd nm Reverse Current(反向电流)IR 10μAVR=5VPower dissipation(消耗功率)Pd 170 mW Luminous Intensity(发光强度)IV2000/3000mcdIf=20mAPeak Forward Current(顺向电流峰值)If(Peak) 100mA Recommend Forward Current(顺向电流)If(Rec) 20 mA Electrostatic Discharge(静电释放)ESD 2000 V 1.BSOLUTE MAXIMUM RATINGS:(Ta=25℃)2.OPERATING TEMPERATURE:—40℃TO80℃ (操作温度)3.LEAD SOLDERING:260℃FOR 5 SECONDS(焊接条件) 4. 储存条件:25℃以下60%湿度以下.