供应商用电磁炉平滑滤波电容器
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | 创格电子 | |
| 型号： | MKPH-RA | |
| 介质材料： | 有机薄膜 | |
| 应用范围： | 滤波 | |
| 外形： | 长方形 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 频率特性： | 高频 | |
| 调节方式： | 微调 | |
| 引线类型： | 同向引出线 | |
| 允许偏差： | ±10（%） | |
| 耐压值： | 3000（V） | |
| 标称容量： | 0.06-0.6μF ( 200-800KVar ) | |
| 损耗： | tgδ≤0.0005 (at 10KHz ) | |
| 额定电压： | 400～5000V.DC（V） | |
| 额定电流： | 100-250A（A） |
外型图： | |
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dzsc/18/9850/18985052.jpg | dzsc/18/9850/18985052.jpg |
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产品介绍： | |
| 采用金属化溥膜无感式卷绕，特殊喷金工艺，迈拉胶带封装，阻燃环氧树脂密封，插片引出。 | |
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特点： | |
| 稳定性高 频率特性好\\体积小 损耗小电感小自愈性好 过电流能力强 | |
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用途： | |
| 主要用于商用电磁炉作谐振用。 | |
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引用标准： | |
符合IEC60110-1 GBT3984.1-2004 CGE企业标准 | |
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经典电路图： | |
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dzsc/18/9850/18985052.jpg | |
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性能指标 / 经典规格外型尺寸： | |
性能指标
| 使用温度范围 | -40℃～ 85℃/ 105℃ |
| 容量量 | 0.06-0.6μF ( 200-800KVar ) |
| 电容量偏差 | ±5% (J)、±10% (K) |
| 额定电压 | 400～5000V.DC |
| 损耗角正切 | tgδ≤0.0005 (at 10KHz ) |
| 耐电压 | 1.5Un / 60S |
| 绝缘电阻 | ≥1500MΩ ( at20℃ 100V.DC 60S ) |
| 耐冲压电流能力 | dv/dt>3000v / μs |
| 阻燃性 | UL94V-0 |
| 杂散电感 | ≤20nH |
| 有效电流 | 100-250A |
| 引用标准 | IEC60110-1998 GB/T 3984-2004 |
典型规格外线尺寸 Un/1600V.DC
| Cn | L(mm) | W（mm） | H（mm） | ESR（mΩ） | ESL（nH） | dv/dt（V/μs） | Ipk(A) | Irms(A) | Weight(g） |
| 2×1.0 | 125 | 65 | 30 | 2.5 | 10 | 1500 | 1500 | 80 | 280 |
| 2×1.2 | 125 | 65 | 30 | 2.3 | 10 | 1300 | 1560 | 100 | 280 |
| 2×1.4 | 145 | 75 | 30 | 1.8 | 10 | 1100 | 1540 | 100 | 350 |
具体尺寸和技术参数，可按客户要求协商确定
"- 所属城市：广东
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 喻友
- 电话：86757283799722
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供应CH80/CH81型高压复合介质电容器
信息内容：产品介绍金属化聚丙烯薄膜式复合介质卷绕而成，特殊喷金工艺，塑料外壳或迈拉胶带封装。特点电性能稳定，频率特性好，损耗小，绝缘电阻高，自愈性好用途广泛用于逆变焊机、高压点火、高压静电设备备压用。性能指标：使用温度范围-40℃~ 85℃/ 105℃电容量0.005~0.1μF电容量偏差±5%(J)、±10%（K）额定电压4000~20000V.DC耐电压1.2Un(60S)损耗角正切≤20X10-4 (23oC f=1KHz)绝缘电阻Rs≥15000MΩ( at 20℃ 100V.DC 60S)耐冲击电流能力dv/dt>100v/μs阻燃性 杂散电感≤30nH有效电流1~10A引用标准符合CGE企业标准 "
供应CL20 聚酯直流固定电容器
信息内容：产品介绍：金属化聚酯薄膜卷绕而成，无感结构，CP线轴向引出，圆形和扁形，阻燃胶带外包，环氧树脂密封。 特点：*稳定性好 *体积小 *自愈性好 用途：用于视听、通讯、电源以及音响分频电路等各种直流和脉动电路。 引用标准：IEC384-2 GB7334-87 性能指标 / 经典规格外型尺寸：性能指标：使用温度范围-40℃~ 85℃容量范围0.1μF~10μF额定电压250V、400V、630V电容量偏差±5%(J)、±10%(K)、±20%(M)损耗角正切≤ 10×10-3(23℃ f=1KHz)耐电压1.75UN (10S)绝缘电阻C≤0.33μF Rs≥9000MΩC>0.33μF C×Rs≥3000S(23℃，1min)
