Honeywell压力传感器 26PCDFA6D（图）
| 价 格： | 面议 | |
| 是否提供加工定制： | 否 | |
| 品牌： | Honeywell/霍尼韦尔 | |
| 型号： | 26PCDFA6D | |
| 种类： | 压力 | |
| 材料： | 混合物 | |
| 材料物理性质： | 绝缘体 | |
| 材料晶体结构： | 单晶 | |
| 制作工艺： | 集成 | |
| 输出信号： | 模拟型 | |
| 防护等级： | 1 | |
| 线性度： | 0.5（%F.S.） | |
| 迟滞： | 0.5（%F.S.） | |
| 重复性： | 2（%F.S.） | |
| 灵敏度： | 高 | |
| 漂移： | 2 | |
| 分辨率： | 标准 |
浩时健电子技术供应Honeywell霍尼韦尔24pc，26pc系列压力传感器
技术规格：（10.0±0.01 VDC 供电，25?C）
● 供电电源：016vdc
● 压力量程：00.5psi-250psi
● 输出信号：mv电压信号
● 工作温度：-40℃85℃
● 温度补偿：24pc系列（无温度补偿），26pc系列（温度补偿0-50℃）
● 压力形式：表压（g），差压（d），绝压（a）
● 测量介质：适用于那些不与多醚酰亚胺，硅，氟硅酮密封片起作用的介质
● 线性与迟滞：0.5%
产品特点：
● 专利的导电密封弹性连接系统消除了传统的导线粘结和带状连接
● 专利的snap-together结构导致了多样化的测量孔形式
● 价格的带温度补偿和校整的小型封装压力传感器
● 不同的引脚可选（1x4或2x2）
● 可以测量负压和正压
● 激光刻蚀电阻保证极好的器件一致性
环境指标:
●工作温度：-40?C~ 85?C
●储存温度：55?C~ 100?C
●补偿温度：-0~50?C
●冲击：150g 认证试验
●震动：MIL-STD-202.方法213(150g 半正弦,11ms
●介质(P1&P2)：适用于那些不与多醚酰亚胺,硅,氟硅酮密封片起作用的介质
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 冯进军
- 电话：0755-83996702
- 传真：0755-83996702
- 手机：
- QQ ：
Honeywell压力传感器 SCX300DN（图）
信息内容：SCX系列精确补偿压力传感器：SCX 系列传感器对于要求在宽温度范围内保持高精度的压力应用，提供了经济的解决方案。这种内部校正和温度补偿传感器专门设计提供对于0°C 至70°C 温度范围内精确和稳定输出。此系列供使用非腐蚀，非离子工作流体如空气，干燥气体及类似介质。本产品可供测量从1psi(SCX01)至150psi(SCX150)的压力，差压和表压。绝压传感器具有内部真空基准及与压力成比例的输出电压。差压传感器可利用压力传感器隔膜任一侧的压力，可用于表压或差压测量。SCX 设备特点是集成电路传感元件和激光微调厚膜陶瓷安装在紧凑尼龙外壳中。此封装可以提供与外部组件应力的隔离，方便的安装孔及使用标准塑料软管作为压力导气管。所有SCX系列，全量程校正在±1%内，及提供±300微伏极低零压输出。因此，对许多应用,在信号调节电路中不需要微调电路。若要求扩展工作温度范围(超过0°C至70°C)， 传感器有2 个引脚,可提供与温度成正比的输出电压用于外部电路设计。电桥的输出与供电电压成比例，可接受 20V 以下任何直流供电电压。由于此设备具有极低噪声和优良温度补偿，它们可用于医疗和其它高性能用途十分理想。100 微秒响应时间使该系列成为计算...
三菱高频分立MOSFET管 RD70HVF1-101（图）
信息内容：深圳市浩时健电子技术有限公司代理经销三菱、东芝RA,RD,S-AV,S-AU，2SC全系列射频元件：RD07MVS1,RD07MVS1,RD07MVS1,RD15HVF1,RD30HVF1,RD70HVF1,RD01MUF1,RD30HUF1,RD60HUF1,RD10HMF1,RD20HMF1,RD45HMF1,RD00HHS1,RD06HHF1,RD16HHF1,RD70HHF1,RD100HHF1,RD00HVS1,RD02MUS1,RD02MUS1,RD02MUS1,RD02MUS1 。S-AV, S-AU, S-AV36A, S-AV32A, S-AU83AL, S-AU35A, 2SC2879A, 2SC2782A等。保证全新原装，批号，无铅环保，假一罚十。深圳、香港公司备有大量现货库存，量大优惠，也可提供样品，现特价热卖中！ RD70HVF1：RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz70W 520MHz,50WDESCRIPTIONRD70HVF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF High power amplifiers applications.FEATURESHigh power and High Gain:Pout>70W, Gp>10.6dB @Vdd=12.5V,f=175MHz Pout>50W, Gp>7.0dB @Vdd=12.5V,f=520MHz High Efficiency: 60%typ.on VHF Band High Efficiency: 55%typ.on UHF BandAPPLICATIONFor output stage of high power amplifiers in VHF/UHF Band mobile radio sets. RoHS COMPLIANTRD70HVF1-101 is a RoHS complian...
