霍尼韦尔补偿硅压压力传感器SCX100DN
| 价 格： | 1.00 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 品牌/商标： | Honeywell/霍尼韦尔 | |
| 型号/规格： | SCX100DN | |
| 种类： | 压力 | |
| 制作工艺： | 集成 | |
| 输出信号： | 咨询 | |
| 防护等级： | 0.00 | |
| 线性度： | 0.00（%F.S.） | |
| 迟滞： | 0.00（%F.S.） | |
| 重复性： | 0.00（%F.S.） | |
| 灵敏度： | 0.00 | |
| 漂移： | 0.00 | |
| 分辨率： | 0.00 |
型号：SCX100DN
量程：0~30psid
输出方式：mV
温度补偿：是
过载压力：150psid
封装：
dzsc/18/9806/18980694.jpg
霍尼韦尔补偿硅压压力传感器SCX100DN特性
额定值
供电电压, Vs 20Vdc
共模压力 50psig
引线焊接温度 250°C(2至4秒)
环境技术要求
温度范围
补偿 0°C至 70°C
工作 -40°C至 85°C
贮存 -55°C至 125°C
湿度极限 0至100%RH非冷凝
霍尼韦尔补偿硅压压力传感器SCX100DN优势特点
温度补偿
标准的零和量程
低噪声
体积小
供低动力用途的高阻抗
霍尼韦尔补偿硅压压力传感器SCX100DN产品应用
医疗设备
计算机外围设备
气动控制器
供暖通风空调 、
霍尼韦尔补偿硅压压力传感器SCX100DN | ||||
型号 | SCX100DN硅压压力传感器 | |||
特点 | 最小值 | 典型值 | 值 | 单位 |
零点偏置 | -300 | 0.0 | 300 | mV |
复合压力非线性和压力滞后 | -- | ±0.1 | ±0.5 | %满量程 |
补偿和量程的长期稳定性 | -- | 0.1 | -- | %满量程 |
响应时间 | -- | 100 | -- | µsec |
输入电阻 | -- | 4.0 | -- | kΩ |
输出电阻 | -- | 4.0 | -- | kΩ |
可重复性 | -- | ±0.2 | -- | %满量程 |
- 所属城市：广东 深圳
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HTANFET高温芯片传感器
信息内容：型号：HTANFET工作温度：-55℃~225℃HTANFET是一种可靠性极强的N通道电源场效应晶体管(FET)，专门为在极其广泛的温度范围用途而设计的，例如诸如井下使用仪器、航空电子设备、涡轮发动机和工业控制。该电源FET是用绝缘层上覆硅工艺生产的，在高温时大大降低了漏电。直流大电流能力和低Rds-ON是这一部件适合用在直流电和开关用途。如果零件在高达 300℃的温度下工作一年，其性能会下降。所有的零件都经过250℃老化, 以防止生产次品。此外每个零件都在-55到 225℃的温度范围内性能可靠。dzsc/18/9810/18981030.jpg 优势特点 额定温度：-55°C至 225°C 持续输出电流可达1Amp 典型输入电压可达90V 绝缘层上覆硅(SOI) 4引脚电源带式封装或 带整体散热器的8引脚陶瓷Dip 产品应用 井下油井 航空电子设备 涡轮发动机控制 工业过程控制 核反应堆 电力转换 重型内燃机 http://www.sensorexpert.com.cn/Products/HTANFETgaowenxinpian.html
