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单极、双极GMR巨磁传感器 (替代霍尔传感器)

价 格: 面议
加工定制:
品牌:RC
型号:VA
种类:磁敏
材料:聚合物
材料物理性质:磁性材料
材料晶体结构:其他
制作工艺:集成
输出信号:模拟型
防护等级:
线性度:无(%F.S.)
迟滞:无(%F.S.)
重复性:无(%F.S.)
灵敏度:3mV/V·mT~40mV/V·mT
漂移:见说明
分辨率:见说明
测量范围:±0.3mT~±4.3mT
非线性度:0.4%~2%
工作范围温度:-40℃~85℃(类),-55℃~125℃(第二类)

产品特点        

  • 每片集成一组或两组的自旋阀巨磁电阻(GMR)惠斯通电桥
  • 模拟正电压(半桥)或差分电压(全桥)输出
  • 测量范围:±0.3mT~±4.3mT
  • 灵敏度:3mV/V·mT~40mV/V·mT
  • 供电电压:DC1V~DC20V
  • 频率响应:0~1MHz
  • 非线性度:0.4%~2%
  • 温度稳定性:≤20 ppm/℃
  • 工作温度范围:-40℃~85℃(类),-55℃~125℃(第二类)
  • SOP8表面贴装封装

 

应用领域

  • 磁头
  • 接近开关
  • 角度传感器、转速传感器、位移传感器
  • 电流检测
  • 磁电编码器
  • 电子罗盘
  • 特种弱磁检测领域

 

产品描述

 

自旋阀巨磁电阻(GMR)传感器芯片VA系列是用于检测磁场的惠斯通电桥结构。当向电桥供电后,在敏感轴方向加入磁场强度会引起电桥电阻元件的变化,导致电桥输出端的电压产生相应的变化,即传感器的输出电压变化量与外加磁场强度成正比。VA系列巨磁电阻(GMR)传感器芯片采用一组或两组的GMR惠斯通电桥结构,将磁场转化成模拟正电压(半桥)或差分电压(全桥)输出,具有宽的测量范围、高灵敏度、低磁滞、低温漂和优良的线性度,可以测量±0.3mT~±4.3mT的磁场,采用超小型尺寸封装。产品可广泛应用于智能电网、智能交通、汽车电子、工业控制、医疗设备、消费电子等领域。

 

 

 

产品参数说明

 

——高灵敏度系列

型号

测量范围(mT)

分辨力

(nT)

灵敏度典型值

(mV/V·mT)

非线性度

(%)FS

温度漂移(ppm/℃)

电阻值(Ω)

VA100F2

±0.3

20

36

1.0

1.0

2500

VA100F3

±0.4

22

26

1.2

3.3

5000

VA100F4

±0.4

32

24

0.7

7.2

5000

VA200F3

±0.3

X: 18 Y:20

X:25    Y:26

2.2

1.4

5000

VA200F4

±0.5

X:20 Y:18

X:24.5  Y:24

1.2

1.7

2500

瑞安市瑞磁电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:浙江
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 赵一伟
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