特点 ◆纯红色 ◆MOCVD生长技术 ◆高亮度 ◆低功耗 ◆优良的波长和亮度均匀性 ◆长寿命 结构 ◆AlGaInP/GaAs材料体系 ◆具有MQW和DBR结构 ◆电极材料： P面正极：金或铝 N面负极：金合金 ◆外型尺寸如图所示 说明： 1、发光强度是利用华光光电光强测试设备测试结果，测量精度为±15%。 2、P面键合层可根据用户需要选定为金或铝。 3、键合时不要超过380℃、5秒钟。 4、有两种包装形式： 蓝膜：P面朝上，适合于自动固晶工艺。 白膜：N面朝上，适合于手动固晶工艺。
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联系人：
朱先生：18653609091（深圳）
常先生：18653609063（中山）
冯先生：18653609083（东莞）
孙小姐：18653609069（浙江）
宋小姐：18653609061（杭州）
季小姐：18653609062（山东）
吴先生：18653609073（佛山）
公司成立于1999年，现注册资本为3.25亿元。是国内最早引进MOCVD设备，从事化合物半导体外延片及光电子器件研发与生产的高新技术企业。拥有完整的产业链，是国内同行业同时具有全色域LED、民用LD外延材料制备、管芯生产、器件封装及应用产品一条龙生产技术的企业，是国内规模的激光二极管芯片生产企业，在国内光电子行业处于地位。主要产品有：半导体高亮度发光二极管（LED）和民用激光二极管（LD）外延片、芯片、器件和应用产品。 浪潮华光率先在业内通过了ISO9001质量体系认证和ISO14001环境管理体系认证。 业界地位上，浪潮华光是中国光学光电子行业协会光电器件分会副理事长单位、工信部半导体照明技术标准工作组成员单位、中国半导体照明产业联盟理事单位、山东省半导体照明产业联盟理事长单位。 浪潮华光先后成为山东省光电子工程技术中心及山东省企业技术中心、山东省半导体照明工程技术中心、山东省半导体发光材料与器件工程实验室。 科研成果上，浪潮华光承担了多项国家“863”项目，其“产学研”合作模式被业界公认为中国光电子产业成功典范。浪潮华光共获得各类技术成果160多项，其中获省级以上鉴定成果9项，技术水平达到国际先进水平，拥有自主知识产权。 知识产权的发展上，共申报专利百余项。项目申报和验收上，共获批25个包含国家科技部“863”计划、国家工信部、国家发改委专项、山东省科技厅等在内的政府项目。浪潮华光还作为工信部半导体照明技术标准工作组成员单位，承担了6项行业标准的制定工作。 科研队伍上，浪潮华光拥有由一批富有光电子材料及器件理论和技术基础的博士生导师、教授、研究员、博士、硕士和工程师、工程师组成的科研队伍。其中，董事长辛卫华研究员是“机电部有突出贡献专家”，享受“国务院特殊津贴”；总经理郑铁民研究员是享受国务院特殊津贴的专家，山东省技术拔尖人才。常务副总技术带头人徐现刚博士，是教育部批长江学者特聘教授，国家杰出青年基金获得者。企业技术总指导和名誉董事长为国家“863”计划新材料领域原首席科学家、中科院蒋民华院士。技术支持单位山东大学拥有达到国际先进水平的晶体国家重点实验室，在半导体光电子材料与器件方面取得一系列高水平的研究成果并成功产业化。 从宏观产销规模上看，浪潮华光的产品半导体激光二极管产销量稳居国内；LED芯片性能指标位居国内水平，产销量居国内前茅。销售网络遍布全国各地，在深圳、临海、重庆、苏州、温州等地设立了办事处，客户利用我们的管芯生产的产品远销美洲、欧洲及东南亚各国。 浪潮华光作为山东省光电子产业的龙头，规模宏大，拥有济南、潍坊、临沂三市协调发展的四大产业基地。 一厂，即山东华光光电子有限公司，成立于1999年。厂址在济南市高新区，占地43亩，建筑面积5000 m²。 二厂，即山东浪潮华光光电子股份有限公司，成立于2004年9月。厂址设在潍坊市高新区，占地151亩，园区总规划建筑面积90000 m²。一期项目完成总建筑面积35000 m²，建成了目前中国的单体LED厂房，仅净化车间面积就达11000 m²。二期工程建设总投资10亿元，购置工艺设备仪器2600台套，新建厂房50000 m²。 三厂，即山东省光电子项目――浪潮（济南）光电子产业园，于09年11月5日在正式奠基开工。三厂规划总投资40亿元，占地242亩，建筑面积16万平米，计划用5-8年的时间，建设成为拥有60台套MOCVD设备。项目建成并达产后将实现年销售收入90亿元，利税20.8亿元。 四厂，成立于2009年4月。厂址设在临沂市，园区总规划建筑面积120000 m²，备年生产LED路灯10万盏的能力。 浪潮华光的发展思路是充分利用自有的知识产权和产学研结合的研发优势，实现大规模生产，扩大产品的品种,建起世界先进的光电子研发和生产线，逐步把公司建成国内、国际知名的光电子产品研发及产业化基地，以一流的业绩回报股东，服务社会，实现员工的自身价值。
