价 格: | 面议 | |
加工定制: | 否 | |
种类: | 发光二极管 | |
是否进口: | 否 | |
品牌/商标: | Everlight/亿光 | |
型号/规格: | 19-21/BHC-AP1Q2/3T | |
材料: | 磷化铝镓铟AlGaInP | |
主要参数: | 0603 LED (0.8MM Height) Bule Water Clear | |
用途: | 背光 指示灯 | |
备注: | 原装正品 |
19-21/B6C-AP2Q2M/3T | 1.6x0.8x0.8 | Blue | 470 | 57 | 112 | 2.75 | 3.95 | 20 | |
19-21/BHC-AP1Q2/3T |
1.6x0.8x0.8 |
Blue |
470 |
45 |
112 |
2.7/3.3 |
3.7 |
20 |
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LED基础知识
半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。
一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用
(一)LED发光原理
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向?截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。
假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即λ≈1240/Eg(mm)式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。
(二)LED的特性
1.极限参数的意义
(1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的值。超值,LED发热、损坏。
(2)正向直流电流IFm:允许加的的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。
(3)反向电压VRm:所允许加的反向电压。超过此值,发光二极管可能被击穿损坏。
(4)工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围,发光二极管将不能正常工作,效率大大降低。
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