厂家供应CL233(BME)盒式金属化高频低损耗薄膜电容器
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌： | CSD(创硕达) | |
| 型号： | CL233X(BME) | |
| 介质材料： | 有机薄膜 | |
| 应用范围： | 旁路 | |
| 外形： | 方块状 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 频率特性： | 中频 | |
| 调节方式： | 固定 | |
| 引线类型： | 同向引出线 | |
| 允许偏差： | ±10（%） | |
| 耐压值： | 100（V） | |
| 标称容量： | ０.001ｆ～２.2ｕF（uF） | |
| 损耗： | ≤1.0％（20℃ 1KHz） | |
| 额定电压： | 50/63VDC-100VDC/63VAC 250VDC/160VAC-400VDC/200VAC-630VDC/220VAC（V） |
盒式金属化高频低损耗聚酯薄膜电容(BME)
具体规格：
引用标准:GB7332(IEC60384-2)
气候类别:40/110/21
额定电压:
50/63Vdc-100Vdc/63Vac.250Vdc/160VAC-400Vdc/200VAC-630VDC/220VAC
容量范围：0.001μF～2.2μF
容量偏差:±5%(J);±10%(K);±200%(M);
耐电压:1.6Ur(5S)
工作温度:-40℃～ 100℃
损耗角正切:≤1.0%(20℃1kHZ)
绝缘电阻:≥15000MΩ;C≤0.33μF,≥5000MΩ;C＞0.3μF;100v 1min
特征用途：
- 可靠性高
- 塑胶外壳封装，外观一致性好
品牌：创硕达（CSD）
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供应高稳定金属化聚酯薄膜电容器MER-CL21 超稳定 耐高压
信息内容：金属化聚酯膜电容器MER引用标准:GB7332 (IEC60384-2)气候类别:40/100/21额定电压： 50/63Vdc-100VDC/63VAC.250Vdc/160VAC-400Vdc/200VAC-630Vdc/220VAC容量范围：0. 001μF～10μF容量偏差:;±5%(J);±10%(k)耐电压: 1.6UR(5sec)工作温度:-40℃～ 100℃ 损耗角正切:≤1.0%(20℃1kHZ)绝缘电阻:≥3×104MΩ;C≤0.33μF,≥1×104MΩ;C＞0.33μF;(20℃,100v 1min)特征用途： 1.高阻抗，无感式结构，金属化聚酯膜卷绕 2.容量的可靠性和稳定性高，同时有自复特性。3.阻燃材料做包封材料4.用于直流和脉动电路，用于各种电子电器工业设备的滤波，隔直，旁路耦合，降噪等。 dzsc/18/9350/18935059.jpgdzsc/18/9350/18935059.jpg深圳市创硕达电子有限公司为台商投资企业，生产、销售全系列金属化薄膜电容和陶瓷电容。公司自1986年成立以来，凭借先进的全套进口设备和精湛的生产工艺以及全面推行国际质量体系，使我们产品以优异的品质，上乘的服务和极具竞争力的价格赢得了广大客户良好的声誉和口碑。
供应小型金属化聚酯薄膜电容器MSR 105UF
信息内容：小型金属化聚酯膜电容器MSR引用标准： GB7332 (IEC60384-2)气候类别：40/100/21额定电压：50/63Vdc-100VDC-250Vdc-400Vdc-630Vdc容量范围： 0. 001~10μF容量偏差： ±5%(J);±10%(k)耐电压：1.6UR(5sec)工作温度：-40°C~ 100°C损耗角正切： ≤1.0%(20°C 1kHZ)绝缘电阻： ≥15000MΩ ;C≤0.33μF, ≥5000MΩ ;C more than 0.33μF;(20°C,100v 1min)特征及用途：1.体积小2.自愈性好，可靠性高3.低损耗4.可以全系列径向编带5.阻燃性环氧粉末包封，安全性好，外观一致性好6.多用途 dzsc/18/9356/18935666.jpgdzsc/18/9356/18935666.jpg深圳市创硕达电子有限公司为台商投资企业，生产、销售全系列金属化薄膜电容和陶瓷电容。公司自1986年成立以来，凭借先进的全套进口设备和精湛的生产工艺以及全面推行国际质量体系，使我们产品以优异的品质，上乘的服务和极具竞争力的价格赢得了广大客户良好的声誉和口碑。
