CL21/475J400V高耐压无感滤波薄膜电容(MER)
| 价 格： | 0.20 | |
| 品牌： | CSD | |
| 型号： | CL21(MER) | |
| 介质材料： | 有机薄膜 | |
| 应用范围： | 旁路 | |
| 外形： | 长方形 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 频率特性： | 高频 | |
| 调节方式： | 固定 | |
| 引线类型： | 同向引出线 | |
| 允许偏差： | ±10（%） | |
| 耐压值： | 630（V） | |
| 标称容量： | 0.001~10uF（uF） | |
| 损耗： | ±5%(J); ±10%(K); | |
| 额定电压： | 50/63VDC-100VDC~250VDC~400VDC-630VDC.1000/1200V（V） |
CL21/334J400V高耐压无感滤波薄膜电容(MER)
引用标准:GB7332 (IEC60384-2)
气候类别:40/100/21
额定电压：
50/63Vdc-100VDC/63VAC.250Vdc/160VAC-400Vdc/200VAC-630Vdc/220VAC
容量范围：0. 001μF～10μF
容量偏差:;±5%(J);±10%(k)
耐电压: 1.6UR(5sec)
工作温度:-40℃～ 100℃
损耗角正切:≤1.0%(20℃1kHZ)
绝缘电阻:≥3×104MΩ;C≤0.33μF,≥1×104MΩ;C＞0.33μF;
(20℃,100v 1min)
特征用途：
1.高阻抗，无感式结构，金属化聚酯膜卷绕
2.容量的可靠性和稳定性高，同时有自复特性。
3.阻燃材料做包封材料
4.用于直流和脉动电路，用于各种电子电器工业设备的滤波，隔直，旁路耦合，降噪等。
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信息内容：高压陶瓷电容器容量范围：0.5PF-0.22UF额定电压：50V 500V 1KV-15KV（V）工作温度： -25~ 85 °C颜色：蓝色特点：1.高耐电强度，额定电压范围1KV~15KV2.体积小 dzsc/18/9192/18919252.jpgdzsc/18/9192/18919252.jpg深圳市创硕达电子有限公司为台商投资企业，生产、销售全系列金属化薄膜电容和陶瓷电容。公司自1986年成立以来，凭借先进的全套进口设备和精湛的生产工艺以及全面推行国际质量体系，使我们产品以优异的品质，上乘的服务和极具竞争力的价格赢得了广大客户良好的声誉和口碑。
等同法拉MKP62薄膜X2安规电容器-CSD创硕达
信息内容：等同法拉MKP薄膜安规电容器-CSD创硕达盒式金属聚丙烯膜抗干扰安规电容器X2引用标准:IEC384-14,EN132400,GB/14472,UL1283UL1414气候类别:40/110/56额定电压：250/275Vac容量范围：0.0047μF～4.7μF容量偏差:±10%(k);±20%(m);耐电压:1200VBetween terminals:2100Vdc(1s).C≤1.0uf ;1800Vdc(1s).c＞1.0ufBetween terminals to case:2050Vac(2S)工作温度:-40℃～ 110℃损耗角正切:≤0.1%(20℃1kHZ)绝缘电阻:≥15000MΩ;C≤0.33μF,≥5000MΩ;C＞0.3μF;100v 1min特征用途：盒式塑胶外壳封装，单向引出线无感式结构及良好的自愈特性，安全性和抑制干扰特性强适应于跨接电源，旁路电路耦合，飞狐电路，EMI滤波，开关电源，电动工具及其他有安全需求，抑制干扰要求的电子线路和电子设备中。 品牌：创硕达（CSD） dzsc/18/9194/18919423.jpg"
