台湾光宏 大功率 LED 芯片 EP-G3838B-A3_38mil绿光
| 价 格： | 1.10 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 种类： | LED芯片 | |
| 型号/规格： | EP-G3838B-A3 | |
| 品牌/商标： | 光宏 | |
| 颜色： | 绿色 | |
| 形状： | 方片 | |
| 大小： | 38（mil） | |
| 亮度： | 超高亮 | |
| 电压： | 3.4（V） | |
| 波长： | 520-530（nm） |
1. Scope:
This specification applies to InGaN/GaN 38 x 38mil green LED chip, EP-G3838B-A3。
2. Materials：
2.1 P-contact：Conductive Layer。
2.2 P-pad：Au。
2.3 N-pad：Au。
2.4 Backside Metal: Al
EP-G3838B -A3：Reflective Layer (Al) with Au
3. Dimensions：
3.1 Chip size：965±30μm x 965±30μm。
3.2 P-pad： 100±10μm, thickness 2±0.2μm。
3.3 N-pad： 100±10μm, thickness 2±0.2μm。
3.4 Chip thickness：150μm±10μm。
4. Electro-optical characteristics and specification: (Tc=25°C)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 金丽平
- 电话：
- 传真：
- 手机：15989449855
- QQ ：
台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-G4545V-A3 (45mil绿光）
信息内容：1. Scope:This specification applies to InGaN/GaN 45 x 45mil green LED chip, EP-G4545V-A3。2. Materials：2.1 P-contact：Conductive Layer。2.2 P-pad：Au。2.3 N-pad：Au。2.4 Backside Metal: AlEP-G4545V -A3：Reflective Layer (Al) with Au3. Dimensions：3.1 Chip size：1140±30μm x 1140±30um。3.2 P-pad： 100±10μm, thickness 2±0.2μm。3.3 N-pad： 100±10μm, thickness 2±0.2μm。3.4 Chip thickness：150μm±10μm。4. Electro-optical characteristics and specification: (Tc=25°C)"
