供应村田可调电阻松下可调电阻PVZ2A103C POZ3AN-1-303N-TOO
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | EVM1KSX30B53 EVM1USX30B53 EVM1USX30B15 EVM1USX30BE4 EVM3YSX50BQ2 EVM2NSX80B | |
| 品牌/商标： | PANASONIC | |
| 环保类别： | 无铅环保型 |
名称：可调电阻SMD3*3mm ±25% 功率0.15W 包装：2K/盘
名称：可调电阻DIP 6*6mm ±20% 包装：500只/袋
优势说明
以上产品属于Panasonic原装进口产品，阻值范围为100Ω-1M之间；以上是松下可调电阻的具体料单。我司做为松下产品代理商，此类产品目前有许多大宗终端客户采购，我司提前1个月为客户配好货，有大量的库存，能保证客户的稳定货源。另外，也为许多电子市场中间商提供货源
深圳市闽泰昇电子有限公司.
是一家经国家相关部门批准注册的企业。以雄厚的实力、合理的价格、优良的服务与多家企业建立了长期的合作关系。集经销批发、招商代理的私营独资企业，主要代理国内外电子元器件，代理品牌有：可调电阻，可调电容，精密电位器,松下连接器.PHI,ST,74HC原装IC等。可调电阻主要品牌：
松下（Panasonic）村田（MURATA）帝国（NOBLE）（ALPS)，北陆连接器主要品牌有：松下（NAIS），HRS（广濑），京瓷（KY/ELCO
，LG，UJU，等品牌。是深圳市闽泰昇电子有限公司.的主营产品。本公司天天到新料,实际库存供应,合作双赢，共谋发展，热诚欢迎各界前来参观、考察、洽谈业务..
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公司主营产品：松下可调电阻电容
深圳市闽泰昇电子有限公司.
是一家经国家相关部门批准注册的企业。以雄厚的实力、合理的价格、优良的服务与多家企业建立了长期的合作关系。集经销批发、招商代理的私营独资企业，主要代理国内外电子元器件，代理品牌有：可调电阻，可调电容，精密电位器,松下连接器.PHI,ST,74HC原装IC等。可调电阻主要品牌：
松下（Panasonic）村田（MURATA）帝国（NOBLE）（ALPS)，北陆连接器主要品牌有：松下（NAIS），HRS（广濑），京瓷（KY/ELCO
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欢迎来电咨询 0755-83041767 13510940754 柯小姐
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 柯菱
- 电话：0755-83041767/83372015/82716726
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供应贴片热敏电阻NTCC10Y473K410H SDNT2012X683J4150HT TR0603MR-07 33R
信息内容：热敏电阻将长期处于不动作状态；当环境温度和电流处于c区时，热敏电阻的散热功率与发热功率接近，因而可能 热敏电阻 动作也可能不动作。热敏电阻在环境温度相同时，动作时间随着电流的增加而急剧缩短；热敏电阻在环境温度相对较高时具有更短的动作时间和较小的维持电流及动作电流。 1、ptc效应是一种材料具有ptc(positive temperature coefficient）效应，即正温度系数效应，仅指此材料的电阻会随温度的升高而增加。如大多数金属材料都具有ptc效应。在这些材料中，ptc效应表现为电阻随温度增加而线性增加，这就是通常所说的线性ptc效应。 2、非线性ptc效应 经过相变的材料会呈现出电阻沿狭窄温度范围内急剧增加几个至十几个数量级的现象，即非线性ptc效应，相当多种类型的导电聚合体会呈现出这种效应，如高分子ptc热敏电阻。这些导电聚合体对于制造过电流保护装置来说非常有用。 3、高分子ptc热敏电阻用于过流保护 高分子ptc热敏电阻又经常被人们称为自恢复保险丝（下面简称为热敏电阻），由于具有独特的正温度系数电阻特性，因而极为适合用作过流保护器件。热敏电阻的使用方法象普通保险丝一样，是串联在电路中使用。 ...
供应ST场效应管 可控硅肖特基BTA16-600B CA0612KRNPO9BN101 CA0612JRNPO9BN101
信息内容：肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金...
