供应高频整流二极管,高频整流二极管特性参数|对整流管的检查方法
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 全系列 | |
| 品牌/商标： | HYG | |
| 封装形式： | 全系列 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 |
广东生荣电子实业有限公司系一家从事生产，经营，开发半导体产品的现代化企业。其主营产品为整流、瞬变、肖特基、超快速二极管。
高频整流二极管的特性
整流二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。整流二极管流电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。整流二极管的外形如图1所示，另外，整流二极管的参数除前面介绍的几个外，还有整流电流，是指整流二极管长时间的工作所允许通过的电流值。它是整流二极管的主要参数，是选项用整流二极管的主要依据。
高频整流二极管的常用参数
（1）平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。
（2）反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR为1000V
（3）反向电流IR：它是二极管在反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。
（4）击穿电压VR：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。
（5）工作频率fm：它是二极管在正常情况下的工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。
（6）反向恢复时间tre：指在规定的负载、正向电流及反向瞬态电压下的反向恢复时间。
（7）零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA。
对整流管的检查方法
首先将整流器中的整流二极管全部拆下，用万用表的100×R或1000×R欧姆档，测量整流二极管的两根引出线(头、尾对调各测一次)。若两次测得的电阻值相差很大，例如电阻值大的高达几拾万Ω、而电阻值小的仅几佰Ω甚至更小，说明该二极管是好的(发生了软击穿的二极管除外)。若两次测得的电阻值几乎相等，而且电阻值很小，说明该二极管已被击穿损坏不能使用。
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈先生
- 电话：0755-61306330
- 传真：0755-83554058
- 手机：13670388985/15813713748
- QQ ：
供应微波二极管,微波二极管简介|微波二极管的分类
信息内容：广东生荣电子实业有限公司一直秉承“立足科技创新、热诚服务客户、致力企业发展、造福员工股东”的企业方针，积累技术开发能力，不断进行产品革新； 以体制改革和机制创新为企业运营发展原动力，完善企业运营体系，积极吸纳各类人才，丰富员工娱乐生活，建立高效、和谐、的服务 团队，运用行之有效的营销和管理策略，提升未来可持续发展的动力与优势。 微波二极管的简介 微波领域内的各种二极管，包括变容二极管、阶跃二极管、PIN二极管、 限幅二极管、电调变容二极管、固体噪声二极管和雪崩二极管等。 各种微波二极管在微波电路中起低噪声放大、功率产生、变频、调制、解调、信号控制等作用。 微波二极管的分类 19世纪末发现了点接触二极管效应后，相继出现了PIN二极管、变容二极管、肖特基二极管、隧道二极管、耿氏二极管等微波二极管。微波二极管的基片材料由锗、硅发展到砷化镓，使微波二极管工作频率不断提高，目前频率已达300吉赫。微波二极管具有体积小和可靠性高等优点，用于微波振荡、放大、变频、开关、移相和调制等方面。 dzsc/18/8969/18896903.jpg
供应高速开关二极管，高速开关二极管批发|开关二极管区别
信息内容：广东生荣电子实业有限公司系一家从事生产，经营，开发半导体产品的现代化企业。其主营产品为整流、瞬变、肖特基、超快速二极管。 开关二极管和肖基特二极管的区别 1.开关二极管是利用二极管的单向导电性，在半导体PN结加上正向偏压后，在导通状态下，电阻很小（几十到几百欧）；加上反向偏压后截止，其电阻很大（硅管在100MΩ以上）。利用开关二极管的这一特性，在电路中起到控制电流通过或关断的作用，成为一个理想的电子开关。开关二极管的正向电阻很小，反向电阻很大，开关速度很快。 2.肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒（barrier）整流作用，这个接触面称为“金属半导体结”，其全名应为肖特基势垒二极管，简称为肖特基二极管。现有肖特基二极管大多数是用硅（Si）半导体材料制作的。20世纪90年代以来，出现了用砷化镓（GaAs）制作SBD。Si-SBD的特点是：正向压降PN结二极管的UDF低，仅为后者的1/2～1/3；trr约为10 ns数量级；适用于低电压（小于50 V）的功率电子电路中（当电路电压高于100 V以上时，则要选用PIV高的SBD，其正向电阻将增大许多） 肖特基二极管属于大电流、低功耗、超高速半导体整流器件。它的特点...
